Europeiska halvledartillverkaren SweGaN tillkännager en strategisk kapitalinvestering från RFHIC och gemensam produktutveckling
Linköping, Sverige, 15 april 2024: SweGaN AB, en europeisk halvledartillverkare som utvecklar och producerar högpresterande epitaxiella wafers av galliumnitrid på kiselkarbid (GaN-on-SiC), meddelar att man har ingått ett strategiskt partnerskap med Sydkorea-baserade RFHIC Corporation (KOSDAQ:218410). RFHIC är en global ledare inom design och tillverkning av GaN RF- och mikrovågshalvledare för kommunikations- och försvarsapplikationer. Det nya avtalet omfattar en icke offentliggjord kapitalinvestering från RFHIC.
Under det senaste decenniet har SweGaN utvecklat och producerat högpresterande GaN-on-SiC epitaxiella lösningar för RF- och kraftenheter som kan användas i olika applikationer såsom 5G-telekommunikationsinfrastruktur, försvars radar, satellitkommunikation, EV ombord laddare och datacenter.
Den nya strategiska investeringen från RFHIC befäster erkännandet av SweGaN:s QuanFINE® epitaxiella lösningar som en framstående differentieringsfaktor bland GaN-on-SiC-material som finns tillgängliga på marknaden. I samarbetet med RFHIC får SweGaN ytterligare resurser för att påskynda produktutveckling, marknadspenetration och för att nå sina affärsmål.
RFHIC Corporation hänvisar till partnerskapet med SweGaN och investeringsstrategin som syftar till att stärka RFHIC:s leveranskedja för halvledare av galliumnitrid, och ytterligare stärka konkurrenskraften för RF- och mikrovågsprodukter inom halvledarare.
– Jr-Tai Chen, VD och grundare på SweGaN, “Med den ökande efterfrågan på högpresterande halvledarmaterial för att driva en mängd applikationer samt för att öka effektiviteten i en energimedveten värld så kommer den nya kapitalinvesteringen att stödja SweGaNs kapacitetsexpansionsplan för sina marknadsledande GaN-SiC epitaxiella wafers och gynna gemensamma produktutvecklingar tillsammans med RFHIC.
– “Vi är mycket stolta över att samarbeta med RFHIC, som är en ledande RF GaN-innovatör som har liksom oss har ambitionen och engagemanget att driva på energieffektivitet genom att tillhandahålla högeffektiva och banbrytande GaN-lösningar.” fortsätter Chen.
Eftersom marknadens krav på högeffektiva halvledare drivs den snabba tillväxten av ett brett spektrum av applikationer som 5G-kommunikation, försvars radar och datacenter. För att möta den växande efterfrågan avser Swegan att snabbt öka sin interna tillverknings, – och FoU-kapacitet. Det nya strategiska partnerskapet med RFHIC har potential att avsevärt stärka SweGaNs position inom flera geografiska områden som är viktiga för företaget eftersom det syftar till att leda en övergång från äldre materiallösningar till sina innovativa GaN-halvledare.
– Dr. Samuel Cho, CTO och medgrundare av RFHIC Corporation, “När RFHIC kartlägger sin framtida strategi för GaN-halvledare, inklusive accelererad marknadsefterfrågan på produkter inom 5G, 6G, satellitkommunikation med mera, är SweGaN:s högpresterande 6-tums GaN-epiwafers för RF- och krafthalvledare – med exemplarisk hög effekteffektivitet – en stark matchning med vår egen tekniska riktning och diversifiering av leverantörer av galliumnitridepitaxiella wafers.”
– “SweGaN:s unika epitaxiella waferutvecklings- och tillverkningsteknik är en nyckelfaktor för den höga prestandan hos halvledare hos galliumnitrid som vi kan utnyttja för att utveckla nya produkter i 4 GHz-bandet med ultrahöga frekvenser som blir alltmer eftertraktade av marknaden”, fortsätter Dr. Cho.
I det gemensamma samarbetet planerar SweGaN och RFHIC att möta den ökande efterfrågan på GaN-halvledare och initiera ny produktutveckling för en mängd olika marknader.
—
Om RFHIC Corporation
RFHIC (KOSDAQ: A218410) är en global marknadsledare inom design och tillverkning av GaN RF & Microwave-komponenter och -system för applikationer inom trådlös kommunikation, försvar och flyg samt RF Energy (Industrial, Scientific, and Medical) segment. Vi tillhandahåller branschledande lösningar för galliumnitrid (GaN) transistorer, högeffekts halvledareffektförstärkare och högeffekts mikrovågsgeneratorsystem inom vår produktionsanläggning. Vi hjälper industrier med RF- och mikrovågsframsteg. Att påskynda en framtid som förstärks av teknisk innovation – för att skapa en bättre uppkopplad, säkrare och starkare värld för framtida generationer. Läs mer på www.rfhic.com. RFHIC® är ett registrerat varumärke.
SweGaN tillhandahåller en unik lösning för GaN-på-SiC episkivor baserad på dess banbrytande epitaxiella tillväxtteknik för tillverkare av RF-komponenter och enheter för satellitkommunikation, telekommunikation och militärradar och för tillverkare av kraftkomponenter. SweGaNs högpresterande SweGaN QuanFINE® material gör det möjligt för våra kunder att snabbt anpassa sig till de föränderliga utmaningarna med nästa generations högeffekts- och högfrekvensenheter och att skapa framtidsorienterade lösningar. För mer information, besök oss på www.swegan.se och LinkedIn.
Kontaktperson för media:
SweGaN
Leslie Johnsen
Kommunikationsrådgivare
Mob: +47 41 45 80 43
E-post: leslie.johnsen@swegan.se
RFHIC Corporation
Grace Cho
Manager, Global Sales & Marketing
marketing@rfhic.com