In the Media

Global GaN, SiC semi market to grow at 50% CAGR through 2026

October 17th, 2019.Spencer Chin, FierceElectronics.

“Silicon Carbide (SiC) and Gallium Nitride (GaN) power devices offer performance advantages for high-efficiency and high-power density applications, and demand for these devices is expected to boom. According to a study from Research N Reports, the market for SiC and GaN devices will grow at a 50% CAGR through 2026, reaching $35.8 billion…

Key players in this market, according to the study, include Alpha and Omega Semiconductor, Fuji Electric Co., Ltd, Infineon Technologies AG, Littelfuse, Inc., Microsemi, Mitsubishi Electric Corporation, Renesas Electronics Corporation, Rohm Semiconductor, Sanken Electric Co.,Ltd., STMicroelectronics, Epiluvac, IQE PLC, Transphorm Inc., SweGaN, Saint-Gobain, GeneSiC Semiconductor Inc., Sublime Technologies, Global Power Technologies Group, Daco Semiconductor Co.,Ltd., AGC Inc., DuPont and Dow. and WeEn Semiconductors...”

Click here to read more.

”Mjuk finansiering” lyfter teknikbolaget

September 3rd, 2019.Henrik Lenngren, Dagens Industri.

“Med en fot i vetenskapens värld och den andra i entreprenörens vardag har Olof Kordina fått snurr på teknikutvecklingsbolaget Swegans tillväxt. Ändå är han orolig.

”Mycket av slantarna kommer från mjuk finansiering. Det är dags att stå på egna ben”, säger han...”

Click here to read more.

台灣之光在瑞典! 陳志泰團隊研發出革命性半導體材料

July 6th, 2019.簡惠茹,自由時報。

"來自台灣的陳志泰博士為全球半導體材料帶來革命性突破,研究團隊以獨特的磊晶技術,製造氮化鎵成長於碳化矽基板這項材料,缺陷比傳統方式減少100到1000倍、總磊晶層厚度薄20倍,可承受電壓可達1500伏特以上,研究除了登上國際期刊Applied Physics Letters,他與瑞典教授共同創辦的半導體材料公司SweGaN AB,今年被瑞典媒體評選為瑞典33大最具潛力新創公司...“

"Dr. Jr-Tai Chen from Taiwan has made a revolutionary breakthrough in the field of semiconductor materials. His team employs a unique epitaxy technology to manufacture gallium nitride (GaN) on silicon carbide (SiC) substrates, with a defect density 100 to 1000 times lower than the ones manufactured by the traditional method, and that can withstand high voltages of more than 1500 volts with a total epilayer thickness 20 times thinner than that of the conventional ones. This breakthrough has been featured in the journal of Applied Physics Letters. Additionally, the semiconductor company he co-founds, SweGaN AB, was named one of the 33 start-ups with the most potential in Sweden this year by Swedish media…"

Click here to read more.

”Det är den finaste tekniklistan i Sverige”

May 24th, 2019.Anna Orring och Peter Ottsjö, Ny Teknik.

"Nu har 33-listan 2019 gått i mål. På torsdagen samlades alla bolag som har valts ut till årets lista. I förra veckan presenterade vi vilka bolag som är med på 33-listan 2019...

– Det känns lite skakigt att vara här, men också riktigt bra. Nu ska vi utnyttja detta momentum och få igång dialog med investerare, säger Olof Kordina, vd och medgrundare..."

Click here to read more.

Tre östgötaföretag på 33-listan

May 14th, 2019. Ulrik Svedin, Corren.se.

"LINKÖPING Nu presenteras 33-listan, en åtråvärd topplista över Sveriges hetaste, unga startup-bolag. Hela tre östgötabolag finns med i år. Det är tidningarna Ny Teknik och Affärsvärlden som sedan 2008 årligen korat Sveriges 33 hetaste unga teknikbolag. Genom åren har listan blivit ett begrepp och en betydelsefull utmärkelse för uppstartsföretag inom teknikbranschen... "

Click here to read more.

Liten svensk startup ska rädda 5g-näten – med unik teknik

May 13th, 2019. Peter Ottsjö, Ny Teknik.

"Det här lilla Linköpings-bolaget har en Nobelpristagare som kund. När man hör vad Swegan kan göra för halvledarindustrin – och de kommande 5g-näten – är det inte svårt att förstå. ”Vi kan leverera hundra gånger mer data för samma energi”, lovar grundaren..."

Click here to read more.

Här är alla vinnarna på 33-listan 2019

May 2019.Ny Teknik redaktionen, Ny Teknik.

"Efter att Ny Teknik granskat över 400 bolag har nu 33 av kandidaterna tagit plats på årets 33-lista för Sveriges hetaste startups...

Företagen bakom de här innovationerna är alla med på 33-listan, där Ny Teknik och Affärsvärlden samlar Sveriges 33 mest intressanta unga teknikbolag – i år för tolfte året i rad..."

Click here to read more.

Thin gallium nitride on silicon carbide high-power and high-frequency electronics

September 27th, 2018. Mike Cooke, Semiconductor today.

"Researchers based in Sweden have developed thinner III-nitride structures on silicon carbide (SiC) with a view to high-power and high-frequency thin high-electron-mobility transistors (T-HEMTs) and other devices [Jr-Tai Chen et al, Appl. Phys. Lett., vol113, p041605, 2018]…"

Click here to read more.

New Thin GaN Structure on SiC Improves RF Performance

August 20th, 2018. Pat Hindle, Microwave Journal.

"SweGaN is a spin-off from Linköping University that recently announced a new GaN-on-SiC HEMT heterostructure, QuanFINE ™, built on the concept of a GaN−SiC hybrid material that combines the high-electron-velocity thin GaN with the high-breakdown bulk SiC…"

Click here to read more.

Swegan är världsbäst på GaN-epitaxi

November 8th, 2017. Anna Wennberg, Elektronik Tidningen.

"Linköpingsföretaget Swegan tillverkar material som är bas för rf-kretsar i galliumnitrid. Ovanpå kiselkarbidskivor bygger företaget sin GaN-struktur som får högre kvalitet än konkurrenternas. Telekom och rymdindustrin påstås kunna dra nytta av expertisen. Närmast står en uppskalning på agendan..."

Click here to read more.

SweGaN Strengthens Position With New Share Issue

September 26th, 2017.Compound Semiconductor.

"SweGaN, a Swedish manufacturer of custom-made epitaxial wafers of group III-nitrides, has raised close to $750,000 through a summer investment round…"

Click here to read more.