SweGaN säkrar flera stora ramavtal för QuanFINE® GaN-on-SiC epitaxiella wafers – rapporterar 100% YoY-orderökning under första halvåret och ny högkapacitetsanläggning i drift

Linköping, Sverige, Augusti 13, 2024: SweGaN AB, en europeisk halvledartillverkare som utvecklar och producerar skräddarsydda galliumnitrid på kiselkarbid(GaN-on-SiC) epitaxiella wafers, rapporterar order på sina benchmark QuanFINE® epiwafers till ett värde av 17 MSEK under första halvåret 2024, inklusive tre stora ramavtal från ospecificerade större aktörer inom Telekom- och Försvarsmarknaden. Företaget rapporterade en 100% YoY-orderökning och påbörjade leveranser från sin nya anläggning i Linköping, Sverige, vilket markerar betydande framsteg i sin uppskalningsresa.

I ytterligare anmärkningsvärda nyheter meddelar halvledartillverkaren en nyligen slutförd kundkvalificering av QuanFINE epiwafer med en komponenttillverkare.

Under de senaste två åren har SweGaN uppvisat en spännande operationell transformation i linje med sin tillväxtstrategi och globala efterfrågan på GaN-on-SiC epiwafers. Efter att ha säkrat en Serie A-investeringsrunda har företaget skalat upp sin organisation, etablerat ett strömlinjeformat team och lanserat en ny högkapacitetsproduktionsanläggning för att driva sin tillväxtstrategi och framtida nyckeltal.

-“Idag firar vi tre betydande milstolpar som signalerar SweGaN övergång från ett renodlat FoU-företag till en betydande global halvledartillverkare.” säger Dr. Jr-Tai Chen, VD på SweGaN.

-“Just nu finns det en stark drivkraft inom Telekomindustrin att uppgradera teknologin från 5G till 5G Advanced”, fortsätter Chen. SweGaN patenterade QuanFINE® buffertfria GaN-on-SiC-material är väl lämpat för att möta de krävande tekniska kraven från den nya teknologin, särskilt vad gäller seffektivitet och termiska egenskaper. Detta gäller både den nya Telekomstandarden 5G Advanced och de starka kraven på förbättrad sensorkapacitet i försvarstillämpningar. De nya ramavtalen kommer att påskynda produktutvecklingen och produktionsupptrappningen, vilket möjliggör för SweGaN att utnyttja marknadsmöjligheterna inom både Telekom- och Försvarssektorn.”

Med SweGaNs nya produktionsanläggning i drift har företaget verktygen för att fullt ut omfamna sin ambitiösa uppskalningsstrategi och avsevärt öka tillverkningskapaciteten av nästa generations GaN-on-SiC epitaxiellt konstruerade wafers. Samtidigt siktar företaget på  fortsatta innovationer genom nya FoU-initiativ och fördjupa partnerskapen med leverantörer och kunder för att etablera motståndskraftiga leveranskedjor.

-“Jag är oerhört stolt över vårt synergiskiska team, både i att framgångsrikt kvalificera SweGaN första epiwaferprodukt med en komponenttillverkare och i att genomföra det betydande arbetet att ta den nya högkapacitets waferproduktionsanläggningen i drift, från planering till lansering,” fortsätter Chen.

– – –

Om SweGaN
SweGaN erbjuder unika lösningar för GaN-on-SiC epiwafers baserade på sin banbrytande epitaxiella tillväxtteknologi för tillverkare av RF-enheter som används i applikationer inom telekom, försvar och satellitkommunikation. Den höga prestandan hos SweGaNs QuanFINE®-material möjliggör för våra kunder att snabbt anpassa sig till de utvecklande utmaningarna hos nästa generations högkrafts- och högfrekvensenheter och skapa framtidsorienterade lösningar. För mer information, besök oss på www.swegan.se och LinkedIn.

Media Contact

SweGaN
Leslie Johnsen
Kommunikationsrådgivare
Mob: +47 41 45 80 43
E-post: leslie.johnsen@swegan.se